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支持从Si mosfet和igbt到SiC mosfet的各种功率晶体管，内置高精度欠压预防故障
ROHM的新型外部fet型控制器ic
产品系列-罗姆的新型外部fet型控制器ic
加利福尼亚州圣克拉拉和日本京都，2024年10月8日(GLOBE NEWSWIRE)——罗姆半导体今天宣布采用PWM电流控制模式的新型外部fet型控制器ic，针对各种工业应用中的交流-直流电源进行了优化。用于驱动各种功率半导体的四种型号已经开始量产:用于低压mosfet的BD28C55FJ-LB;BD28C54FJ-LB用于中高压mosfet;BD28C57LFJ-LB用于igbt;和BD28C57HFJ-LB用于SiC mosfet。
尽管全球半导体短缺开始缓解，但工业应用中用于电源的半导体元件的供应仍然落后于需求。对于PWM控制器ic来说尤其如此，其中制造商数量有限导致长期短缺，导致产品开发的众多请求。
作为回应，罗姆开发了PWM控制器ic，通过满足工业市场严格的封装和性能要求来解决持续的供应问题。根据应用的输入交流电压范围，各种各样的半导体用于电源电路。这些半导体中的每一种都需要不同的欠压锁定(UVLO)水平，以防止在电源/栅极电压下降的情况下热失控。为了解决这个问题，罗姆公司开发了四种不同UVLO水平的变体。
新产品的输入电压范围为6.9V至28.0V，电路电流高达2.0mA，最大启动电流为75µA，最大占空比为50%，采用标准的SOP-J8封装(相当于JEDEC SOIC8)。这些产品与电源电路中常用的标准产品引脚对引脚兼容，从而减少了重新设计和修改的工作量。所有型号均配备具有电压滞后的自恢复型UVLO功能。这大大提高了应用可靠性，将阈值电压误差降低到15%，而标准产品的典型阈值电压误差为110%。
同时，这些ic被指定为长期供应，从而确保长寿命工业设备的连续运行。展望未来，产品线将进一步扩大，包括适用于驱动高压mosfet和GaN器件的产品。支持100%最大占空比的更多型号也正在计划中。
产品线
点击这里查看产品阵容:
- BD28C55FJ-LB用于低压mosfet
- BD28C54FJ-LB用于中高压mosfet
- BD28C57LFJ-LB用于igbt
- BD28C57HFJ-LB用于SiC mosfet
- 工业设备:交直流电源，电机驱动逆变器，和其他交流供电设备
- 可用性:现在
- o在线分销商:DigiKey™和Mouser™
- 产品将在其他时间提供在线分销商，因为他们是可用的。
- 产品编号:BD28C54FJ-LB, BD28C55FJ-LB, BD28C57HFJ-LB, BD28C57LFJ-LB
附件
ROHM的新型外部fet型控制器ic
产品系列-罗姆的新型外部fet型控制器ic
联系人:Keng Ly
罗姆半导体
(248) 348 - 9920
kly@rohmsemiconductor.com
希瑟·萨维奇
BWW通信
(408) 507 - 4398
heather.savage@bwwcomms.com
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